เคล็ดลับที่เป็นประโยชน์อย่างยิ่ง: ข้อกำหนดในการตรวจสอบและวิธีการของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์----อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ (2-ไตรโอด 3 คืออะไร）

    HTTPS://www.Kaichuanpower.com/   

ข้อควรระวังในการใช้งานการจำแนกประเภทเอฟเฟกต์สนามและวิธีการตรวจจับ: หลอดเอฟเฟกต์สนาม MOS ค่อนข้าง "คลื่นไส้" เนื่องจากความต้านทานอินพุตสูงมาก และความจุระหว่างเกตและแหล่งกำเนิดมีขนาดเล็กมาก สามารถชาร์จได้ง่ายโดยการเหนี่ยวนำของสนามแม่เหล็กไฟฟ้าภายนอกหรือไฟฟ้าสถิต และประจุจำนวนเล็กน้อยอาจทำให้เกิดแรงดันไฟฟ้าที่สูงมาก (U) บนความจุไฟฟ้าระหว่างอิเล็กโทรด =Q/C) ท่อจะเสียหาย ดังนั้นเมื่อออกจากโรงงานจะต้องบิดหมุดแต่ละอันเข้าหากันหรือติดตั้งในฟอยล์โลหะเพื่อให้เสา G และ S มีศักย์ไฟฟ้าเท่ากันเพื่อป้องกันการสะสมของประจุไฟฟ้าสถิต เมื่อไม่ได้ใช้งานท่อ สายไฟทั้งหมดควรลัดวงจรด้วย ควรใช้ความระมัดระวังเป็นพิเศษเมื่อทำการวัดและควรใช้มาตรการป้องกันไฟฟ้าสถิตที่เหมาะสม ก่อนทำการวัด ให้ลัดวงจรร่างกายมนุษย์ลงกราวด์ก่อนสัมผัสหมุด MOSFET ทางที่ดีควรต่อสายไฟที่ข้อมือเข้ากับพื้นโลกเพื่อให้ร่างกายมนุษย์และโลกมีศักยภาพเท่ากัน แยกหมุดอีกครั้งแล้วถอดสายไฟออก ตั้งมัลติมิเตอร์ไปที่ R×100 และกำหนดเกตก่อน หากความต้านทานของพินบางตัวและพินอื่นๆ ไม่มีที่สิ้นสุด จะพิสูจน์ได้ว่าพินนี้คือเกท G ให้เปลี่ยนสายวัดทดสอบและวัดอีกครั้ง ค่าความต้านทานระหว่าง S และ D ควรอยู่ระหว่างหลายร้อยโอห์มถึงหลายพันโอห์ม ในขณะที่ความต้านทานมีขนาดเล็กลง สายวัดทดสอบสีดำเชื่อมต่อกับเสา D และสายวัดทดสอบสีแดงเชื่อมต่อกับเสา S สำหรับผลิตภัณฑ์ซีรีส์ 3SK ที่ผลิตในญี่ปุ่น โพล S จะเชื่อมต่อกับโครงท่อ ดังนั้นจึงง่ายต่อการระบุโพล S ปล่อยเสา G ไว้ในอากาศ เชื่อมต่อสายวัดทดสอบสีดำเข้ากับเสา D และสายทดสอบสีแดงเข้ากับเสา S จากนั้นใช้นิ้วสัมผัสเสา G เข็มมิเตอร์ควรเบี่ยงเบนอย่างมาก ทรานซิสเตอร์สนามผล MOS แบบสองประตูมีสองประตู G1 และ G2 หากต้องการแยกความแตกต่าง คุณสามารถสัมผัสเสา G1 และ G2 ด้วยมือตามลำดับ หนึ่งในนั้นคือ เสา G2 มีการเบี่ยงเบนของเข็มนาฬิกาไปทางซ้ายมากขึ้น ปัจจุบันหลอด MOSFET บางหลอดมีไดโอดป้องกันระหว่างขั้ว GS ดังนั้นจึงไม่จำเป็นต้องลัดวงจรแต่ละพิน ฉันจะไม่ลงรายละเอียดเกี่ยวกับความรู้อื่นๆ ที่เกี่ยวข้อง ตราบใดที่ทุกคนสามารถเข้าใจได้